2SH28 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH28
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Encapsulados: TO220AB
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2SH28 datasheet
2sh28.pdf
2SH28 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching ADE-208-790A(Z) 2nd. Edition May 1999 Features High speed switching Low on-voltage Outline TO 220AB C G 1 2 1. Gate E 3 2. Collector (Flange) 3. Emitter 2SH28 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to Emitter voltage VCES 600 V Gate to Emitter voltage VGES 20 V Colle
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