2SH28 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH28
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: TO220AB
- Selección de transistores por parámetros
2SH28 Datasheet (PDF)
2sh28.pdf

2SH28Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-790A(Z)2nd. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO220ABCG121. GateE32. Collector (Flange)3. Emitter2SH28Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VColle
Otros transistores... 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , STGW60V60DF , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD .
History: SIGC03T60SE | MSG15T120FPE | GA200SA60U | IRG4BC30F | IXSN35N120AU1 | HGTD10N40F1S9A | IXBF20N300
History: SIGC03T60SE | MSG15T120FPE | GA200SA60U | IRG4BC30F | IXSN35N120AU1 | HGTD10N40F1S9A | IXBF20N300



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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