NCE30TD65BD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE30TD65BD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 106 pF
Encapsulados: TO-263
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NCE30TD65BD datasheet
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History: NCE25TD135LP | NCE30TD65BP
History: NCE25TD135LP | NCE30TD65BP
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