IXGP12N60C Todos los transistores

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IXGP12N60C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGP12N60C

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 55

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de IXGP12N60C - IGBT

 

IXGP12N60C Datasheet (PDF)

1.1. ixgp12n60c.pdf Size:94K _igbt

IXGP12N60C
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VCES = 600 V IXGA 12N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 24 A IXGP 12N60C VCE(sat)= 2.7 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXGA) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V G VGES Continuous ±20 V ↑ C (tab) E VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C24 A TO-220 AB IC90 TC = 90°C12 A (IXGP) ICM TC = 25°C, 1 ms 48

1.2. ixgp12n60cd1.pdf Size:69K _igbt

IXGP12N60C
IXGP12N60C

IXGA 12N60CD1 HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGP 12N60CD1 LightspeedTM Series IC25 = 24 A VCE(sat) = 2.7 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXGA) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V E C (TAB) VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C24 A IC90 TC = 90°C12 A TO-220 AB ICM TC = 25°C,

1.3. ixgp12n60b.pdf Size:69K _igbt

IXGP12N60C
IXGP12N60C

IXGA 12N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 12N60B IC25 = 24 A VCE(sat) = 2.1 V tfi(typ) = 120 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP) VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V C (TAB) VGES Continuous ±20 V G E VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C24 A IC90 TC = 90°C12 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC =

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