MPBA20N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBA20N65EF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
Paquete / Cubierta: TO-220F
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MPBA20N65EF Datasheet (PDF)
mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf
MPBX20N65EF650V-20A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBP20N65EF MP20N65EF TO-220MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220FMPBC20N6
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Liste
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