MPBW20N65EF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW20N65EF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 214 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
Encapsulados: TO-247
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MPBW20N65EF datasheet
mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf
MPBX20N65EF 650V-20A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBP20N65EF MP20N65EF TO-220 MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220F MPBC20N6
mpbw25n120bf.pdf
MPBW25N120BF 1200V-25A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW25N120BF MP25N120BF TO-247-3 Maximum Rated Values
mpbw25n120b.pdf
MPBW25N120B 1200V 25A IGBT TO-247 MPBW25N120B MP25N120B TO 247 1 V
Otros transistores... MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , FGH30S130P , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF .
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