DAHF075G120SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAHF075G120SA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 318 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
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DAHF075G120SA Datasheet (PDF)
dahf075g120sa.pdf
DAHF075G120SADACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 75AHD-9434PreliminaryFeatures 34mm Fast Switching Trench / Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 3Maximum Ratings
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Liste
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