DAHF075G120SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAHF075G120SA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75(100C) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 318 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
DAHF075G120SA Datasheet (PDF)
dahf075g120sa.pdf

DAHF075G120SADACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.IGBT Power Module1200V / 75AHD-9434PreliminaryFeatures 34mm Fast Switching Trench / Field Stop IGBT Technology Low Switching Losses Super Fast Diodes High Short Circuit CapabilityApplications Welder / Power SupplyCircuit Diagram Headline UPS / Inverter6 Industrial Motor Drive71 2 3Maximum Ratings
Otros transistores... MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E , DAG075F065P1 , IKW40N65WR5 , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , DAHF300G120SB , DAZF075G120SCA , DAZF075G120XCA .
History: SGT20T60SD1T | APTGF25X120E2 | GT80J101 | MMG150S120B6TN | BLG40T120FUH-F | APTLGF210U120T
History: SGT20T60SD1T | APTGF25X120E2 | GT80J101 | MMG150S120B6TN | BLG40T120FUH-F | APTLGF210U120T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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