IXGT24N60CD1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT24N60CD1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF

Encapsulados: TO268

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXGT24N60CD1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXGT24N60CD1 datasheet

 ..1. Size:101K  ixys
 ixgt24n60cd1.pdf pdf_icon

IXGT24N60CD1

IXGH 24N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 24N60CD1 IC25 = 48 A with Diode VCE(sat) = 2.5 V Lightspeed Series Preliminary data TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C48 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C24 A

 4.1. Size:52K  ixys
 ixgt24n60c.pdf pdf_icon

IXGT24N60CD1

IXGH 24N60C VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 24N60C IC25 = 48 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 60 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C48 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110

 7.1. Size:519K  ixys
 ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf pdf_icon

IXGT24N60CD1

IXGH 24N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 24N170A IC25 = 24 A IGBT VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 45 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C16 A ICM

 7.2. Size:223K  ixys
 ixgt24n170ah1.pdf pdf_icon

IXGT24N60CD1

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH24N170AH1 IGBTs w/Diode IXGT24N170AH1 IC25 = 24A VCE(sat) 6.0V tfi(typ) = 40ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 24 A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXGT15N120B, IXGT15N120BD1, IXGT15N120C, IXGT15N120CD1, IXGT20N100, IXGT20N60B, IXGT20N60BD1, IXGT24N60C, SGT50T65FD1PT, IXGT28N30, IXGT28N30A, IXGT28N30B, IXGT28N60B, IXGT28N60D1, IXGT28N90B, IXGT31N60, IXGT31N60D1