IXGT28N30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT28N30  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF

Encapsulados: TO268

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IXGT28N30 datasheet

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IXGT28N30

IXGH 28N30 VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 28N30 IC25 = 56 A VCE(sat)typ = 1.6 V tfi(typ) = 180 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V G E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C56 A TO-247 AD IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 112 A SSOA VGE

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IXGT28N30

IXGH 28N30B VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 28N30B IC25 = 56 A VCE(sat)typ = 2.1 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C56 A TO-268 IC90 TC = 90 C28 A (IXGT) ICM TC = 25 C, 1 ms 112 A G SSOA VGE= 15 V, TV

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IXGT28N30

IXGH 28N30A VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 28N30A IC25 = 56 A VCE(sat)typ = 1.85 V tfi(typ) = 120 ns Preliminary data TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-268 (IXGT) IC25 TC = 25 C56 A IC90 TC = 90 C28 A G E ICM TC = 25 C, 1

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IXGT28N30

Low VCE(sat) IGBT IXGH 28N60B VCES = 600 V IXGT 28N60B IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C40 A (IXGH) IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A C (TAB) SSOA VGE = 15 V,

Otros transistores... IXGT15N120BD1, IXGT15N120C, IXGT15N120CD1, IXGT20N100, IXGT20N60B, IXGT20N60BD1, IXGT24N60C, IXGT24N60CD1, RJP30H2A, IXGT28N30A, IXGT28N30B, IXGT28N60B, IXGT28N60D1, IXGT28N90B, IXGT31N60, IXGT31N60D1, IXGT32N60BD1