IXGT28N60D1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT28N60D1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF

Encapsulados: TO268

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXGT28N60D1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXGT28N60D1 datasheet

 5.1. Size:588K  ixys
 ixgt28n60b.pdf pdf_icon

IXGT28N60D1

Low VCE(sat) IGBT IXGH 28N60B VCES = 600 V IXGT 28N60B IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C40 A (IXGH) IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A C (TAB) SSOA VGE = 15 V,

 5.2. Size:56K  ixys
 ixgh28n60bd1 ixgt28n60bd1.pdf pdf_icon

IXGT28N60D1

Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V E VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 8

 5.3. Size:515K  ixys
 ixgt28n60bd1.pdf pdf_icon

IXGT28N60D1

Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Combi Pack Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXGT20N60B, IXGT20N60BD1, IXGT24N60C, IXGT24N60CD1, IXGT28N30, IXGT28N30A, IXGT28N30B, IXGT28N60B, YGW40N65F1, IXGT28N90B, IXGT31N60, IXGT31N60D1, IXGT32N60BD1, IXGT32N60CD1, IXGT50N60B, IXGT60N60, IXGX120N60B