JJT25N135UE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JJT25N135UE
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 54 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de JJT25N135UE IGBT
JJT25N135UE Datasheet (PDF)
jjt25n135ue.pdf
1350V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N135UEKey performance: V =1350VCETO-247 I =25A@T =100C C V =2.0VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Positive VCE (sat) temperature coefficient.E Fast switching and short tail current. High ruggedness performanceApplications: Induction cooking R
jjt25n120se.pdf
1200V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N120SEKey performance: V =1200VCETO-247 I =25A@T =100C C V =1.7VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Low collector to emitter saturation voltageE Easy parallel switching capability Short circuit withstands time 10s High ruggedness performance Ro
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