IXSK40N60CD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSK40N60CD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 190 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXSK40N60CD1 - IGBT
IXSK40N60CD1 Datasheet (PDF)
ixsk40n60cd1.pdf
IXSK 40N60CD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60CD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 70 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, li
ixsk40n60bd1.pdf
IXSK 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60BD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.2 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 120 nsPreliminary dataPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-264 AAIC25 T
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