IXSK40N60CD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSK40N60CD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Encapsulados: TO264
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IXSK40N60CD1 datasheet
ixsk40n60cd1.pdf
IXSK 40N60CD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60CD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 70 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, li
ixsk40n60bd1.pdf
IXSK 40N60BD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60BD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.2 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 120 ns Preliminary data PLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-264 AA IC25 T
Otros transistores... IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , TGPF30N43P , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 .
History: MDI150-12A4 | IGC06R60D | NCE40ED65BF | IXSH40N60B
History: MDI150-12A4 | IGC06R60D | NCE40ED65BF | IXSH40N60B
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