IXSN35N120AU1 Todos los transistores

 

IXSN35N120AU1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSN35N120AU1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 295 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSN35N120AU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  ixys
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IXSN35N120AU1

High Voltage IXSN 35N120AU1 VCES = 1200 VIGBT with Diode IC25 = 70 AVCE(sat) = 4 V3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B1VCES TJ = 25C to 150C 1200 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V4IC25 TC = 25C70 A3IC90 TC = 90C35 A1 = Emitter , 3 = Collector2 = Gate, 4 = Emitter I

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 ixsn35n100u1.pdf pdf_icon

IXSN35N120AU1

IGBT with Diode IXSN 35N100U1 VCES = 1000 VIC25 = 38 AVCE(sat) = 3.5 VHigh Short Circuit SOA Capability3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B1VCES TJ = 25C to 150C 1000 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V4IC25 TC = 25C38 A3IC90 TC = 90C25 A1 = Emitter, 3 = CollectorICM

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History: IRG4BC30F | OM6526SA | IXSK40N60CD1 | 2MBI150U2A-060 | IXGH28N90B

 

 
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