IXSN35N120AU1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSN35N120AU1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 295 pF
Encapsulados: SOT227B
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IXSN35N120AU1 datasheet
ixsn35n120au1.pdf
High Voltage IXSN 35N120AU1 VCES = 1200 V IGBT with Diode IC25 = 70 A VCE(sat) = 4 V 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 A VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C70 A 3 IC90 TC = 90 C35 A 1 = Emitter , 3 = Collector 2 = Gate, 4 = Emitter I
ixsn35n100u1.pdf
IGBT with Diode IXSN 35N100U1 VCES = 1000 V IC25 = 38 A VCE(sat) = 3.5 V High Short Circuit SOA Capability 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 A VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C38 A 3 IC90 TC = 90 C25 A 1 = Emitter, 3 = Collector ICM
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