IXSN35N120AU1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSN35N120AU1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 295 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXSN35N120AU1 - IGBT
IXSN35N120AU1 Datasheet (PDF)
ixsn35n120au1.pdf
High Voltage IXSN 35N120AU1 VCES = 1200 VIGBT with Diode IC25 = 70 AVCE(sat) = 4 V3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B1VCES TJ = 25C to 150C 1200 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V4IC25 TC = 25C70 A3IC90 TC = 90C35 A1 = Emitter , 3 = Collector2 = Gate, 4 = Emitter I
ixsn35n100u1.pdf
IGBT with Diode IXSN 35N100U1 VCES = 1000 VIC25 = 38 AVCE(sat) = 3.5 VHigh Short Circuit SOA Capability3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B1VCES TJ = 25C to 150C 1000 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V4IC25 TC = 25C38 A3IC90 TC = 90C25 A1 = Emitter, 3 = CollectorICM
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