IXSM40N60A Todos los transistores

 

IXSM40N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSM40N60A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 350 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 190 nC
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSM40N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ixys
 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf pdf_icon

IXSM40N60A

 9.1. Size:102K  ixys
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IXSM40N60A

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 VIXSM 45N100 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C75 AIC90 TC = 90C45 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 180 A

Otros transistores... IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IHW20N120R2 , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A .

History: MMG75WD120XB6T4N | DAHF100G120SA

 

 
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