KP731A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP731A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 410 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500pF pF
Paquete / Cubierta: TO218
- Selección de transistores por parámetros
KP731A Datasheet (PDF)
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Otros transistores... IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , RJP63K2DPP-M0 , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 .
History: BSM200GB60DLC | FB20R06W1E3_B11 | APTGF25DDA120T3 | HGT1S7N60B3D | IXGH30N60B2 | IQS2B57N120K4 | IXGH2N250
History: BSM200GB60DLC | FB20R06W1E3_B11 | APTGF25DDA120T3 | HGT1S7N60B3D | IXGH30N60B2 | IQS2B57N120K4 | IXGH2N250



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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