MDI300-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI300-12A4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
Búsqueda de reemplazo de MDI300-12A4 IGBT
MDI300-12A4 Datasheet (PDF)
mdi300-12a4.pdf

MII 300-12A4 MID 300-12A4 MDI 300-12A4IC25 = 330 AIGBT ModulesVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.2 VSquare RBSOAMII 300-12A4 MID 300-12A4MDI 300-12A411 103 3 39T1T1 8D1D1 D113288119 1 19T2 T2D2D12 D211 11E7287310 2 102 2FeaturesIGBTs T1 - T2 NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings
Otros transistores... KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , RJP30H2A , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL .
History: HGTD6N50E1
History: HGTD6N50E1



Liste
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