MID300-12A4 Todos los transistores

 

MID300-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MID300-12A4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MID300-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
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MID300-12A4

MII 300-12A4 MID 300-12A4 MDI 300-12A4IC25 = 330 AIGBT ModulesVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.2 VSquare RBSOAMII 300-12A4 MID 300-12A4MDI 300-12A411 103 3 39T1T1 8D1D1 D113288119 1 19T2 T2D2D12 D211 11E7287310 2 102 2FeaturesIGBTs T1 - T2 NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings

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