RCM10N40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RCM10N40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800pF pF
Paquete / Cubierta: TO204
- Selección de transistores por parámetros
RCM10N40 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... PPNGZ52F120A , PPNGZ52F120B , PPNHZ52F120A , PPNHZ52F120B , RCH10N35 , RCH10N40 , RCH10N40A , RCM10N35 , MBQ40T65FDSC , RCM10N40A , RCP10N35 , RCP10N40 , RCP10N40A , OST50N65H4EWF , SGF15N90D , SGF30N60RUF , SGF30N60RUFD .
History: VS-GT105LA120UX | MG06200S-BN4MM | MMIX4B22N300 | IRGIB4630DPBF | IXSM25N100
History: VS-GT105LA120UX | MG06200S-BN4MM | MMIX4B22N300 | IRGIB4630DPBF | IXSM25N100



Liste
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