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SGP40N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGP40N60UF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 97 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SGP40N60UF Datasheet (PDF)

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SGP40N60UF

IGBTSGP40N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors High speed switching(IGBTs) provides low conduction and switching losses. Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 20AThe UF series is designed for applications such as motor High input impedancecontrol and general inverters where high speed

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