SGS13N60UFD Todos los transistores

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SGS13N60UFD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGS13N60UFD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6.5A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 110

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220F

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SGS13N60UFD Datasheet (PDF)

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