SGW6N60UF Todos los transistores

 

SGW6N60UF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGW6N60UF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 22 pF

Encapsulados: TO263

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SGW6N60UF datasheet

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SGW6N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UF FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls G * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteristics VCES 600 V Collector-Emitter Voltage VG

 0.1. Size:268K  samsung
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SGW6N60UF

N-CHANNEL IGBT SGW6N60UFD FEATURES D2-PAK * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V (@ Ic=3A) * High Input Impedance *CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 35nS (typ.) APPLICATIONS C * AC & DC Motor controls * General Purpose Inverters G * Robotics , Servo Controls * Power Supply * Lamp Ballast E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Rating Units Characteri

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History: VS-GB50LP120N | SKM145GAX123D | SKM145GAR123D | SGF80N60UF | AP50G60SW | VS-GB75LA60UF | VS-GB400AH120U

 

 

 

 

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