SKM100GB124D Todos los transistores

 

SKM100GB124D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM100GB124D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM100GB124D datasheet

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SKM100GB124D

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SKM100GB124D

SKM100GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 159 A Tj = 175 C Tc =80 C 121 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GB12V Tc =80 C 91 A IFnom 1

 4.2. Size:398K  semikron
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SKM100GB124D

SKM100GB12T4G Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 154 A Tj = 175 C Tc =80 C 118 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 118 A Tj = 175 C SKM100GB12T4G Tc =80

 4.3. Size:554K  semikron
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SKM100GB124D

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History: SKM145GAL174DN | SGU20N40L | YGW75N65F1 | TGH40N60F2D | TT030K065EQ | VS-ETL015Y120H | VS-100MT060WSP

 

 

 

 

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