BUK9575-100A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK9575-100A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK9575-100A

BUK9575-100A Datasheet (PDF)

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BUK9575-55A; BUK9675-55ATrenchMOS logic level FETRev. 01 9 February 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9575-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK9675-55A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS techno

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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9575-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 19.7 Alow on-state resi

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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9575-100A Logic level FET BUK9675-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 23 Atrench techn

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Liste

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