PHB20N06T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB20N06T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB20N06T

PHB20N06T Datasheet (PDF)

..1. Size:334K philips
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PHP20N06T; PHB20N06TN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 22 February 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP20N06T in SOT78 (TO-220AB)PHB20N06T in SOT404 (D 2-PAK).2. Features Very low on-state resistance Fast switching.3. Applications

..2. Size:857K nxp
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PHB20N06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 25 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fe

8.1. Size:105K philips
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP20NQ20T, PHB20NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 20 AgRDS(ON) 130 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plasti

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: