PHP28NQ15T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PHP28NQ15T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP28NQ15T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de PHP28NQ15T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

PHP28NQ15T datasheet

..1. Size:216K philips
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PHP28NQ15T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 22 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feat

..2. Size:771K nxp
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..3. Size:260K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor PHP28NQ15T DESCRIPTION Drain Current I = 28A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 150V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARAMETER VALUE

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