STB10NK60Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB10NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB10NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: D2PAK I2PAK

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STB10NK60Z datasheet

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STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z N-channel 600 V, 0.65 typ., 10 A SuperMESH Power MOSFET in I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Type VDSS ID Pw max TAB 3 3 2 STB10NK60Z-1 600 V

..2. Size:858K st
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STB10NK60Z, STP10NK60Z STW10NK60Z N-channel 650 V, 0.65 , 10 A, SuperMESH Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 STB10NK60Z-1 600 V

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STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

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