STB11NK50Z Todos los transistores

 

STB11NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB11NK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB11NK50Z Datasheet (PDF)

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STB11NK50Z

STB11NK50Z - STP11NK50ZFPSTP11NK50ZN-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB11NK50Z 500 V

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STB11NK50Z

STB11NK50Z - STP11NK50ZFPSTP11NK50ZN-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB11NK50Z 500 V

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STB11NK50Z

STB11NK40Z, STP11NK40ZFPSTP11NK40ZN-channel 400 V, 0.49 , 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKZener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB11NK40Z 400V

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STB11NK50Z

STP11NK40Z - STP11NK40ZFPSTB11NK40ZN-CHANNEL 400V - 0.49 - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP11NK40Z 400 V

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History: PTY10HN08 | 2SK2147-01 | 3N80 | FQP5P10 | PTF7N65 | SM8A03NSW | 24NM60L-TF3-T

 

 
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