STB140NF55 Todos los transistores

 

STB140NF55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB140NF55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB140NF55 Datasheet (PDF)

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STB140NF55

STB140NF55 - STB140NF55-1STP140NF55N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID (1)STB140NF55 55V

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STB140NF55

STB140NF55 - STB140NF55-1STP140NF55N-channel 55V - 0.0065 - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID (1)STB140NF55 55V

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STB140NF55

STP140NF75STB140NF75 - STB140NF75-1N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220STripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB140NF75 75V

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STB140NF55

STB140NF75 STP140NF75STB140NF75-1N-CHANNEL 75V - 0.0065 -120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB140NF75 75 V

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History: FMC11N60E | NDH8304P | NCEP01T13AD | FHP830B | WM06N03LE | KX3N80 | NCE65T900F

 

 
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