STB14NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB14NK50Z
   Código: B14NK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 238 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB14NK50Z

STB14NK50Z Datasheet (PDF)

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STP14NK50Z - STP14NK50ZFPSTB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50ZN-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK50Z 500V

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STP14NK60Z - STP14NK60ZFPSTB14NK60Z/-1 - STW14NK60ZN-channel 600V - 0.45 - 13.5A TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID Pw3STP14NK60Z 600V

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STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFPN-channel 600 V, 0.45 typ.,13.5 A SuperMESH Power MOSFETs in D2PAK and TO-220FP packagesDatasheet - production dataFeatures RDS(on) Order codes VDS max. ID PTOTTABSTB14NK60ZT4 160 W 600 V 0.5 13.5 A 31 STP14NK60ZFP 40 W321D2PAK Extremely high dv/dt capabilityTO-220FP 100% avalanche tested Gate charge minimized

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