STB150NF04 Todos los transistores

 

STB150NF04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB150NF04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB150NF04 Datasheet (PDF)

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STB150NF04

STB150NF04STP150NF04N-channel 40 V, 0.005 , 80 A, TO-220, D2PAKSTripFETII Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB150NF04 40 V

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STB150NF04

STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V

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STB150NF04

STB150NF55 STP150NF55STW150NF55N-CHANNEL 55V - 0.005 -120A DPAK/TO-220/TO-247STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55 V

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STB150NF04

STB150NF55STP150NF55 - STW150NF55N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB150NF55 55V

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History: IPA65R1K0CE | CEF07N65A | SSF18NS60F | GSM3414S | STB200NF03-1 | AFP4953WS | VS4610AD

 

 
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