STB15NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB15NM60ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB15NM60ND datasheet

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STB15NM60ND

STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID 3 3 STB15NM60ND 14 A 2 1 1 STF15NM60ND 14 A D2PAK I PAK STI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1) 3 2 1 STP15NM60ND 14 A STW15NM60ND 14 A TO-247 1. Limited only by maximum temperature

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STB15NM60ND

STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID 3 3 STB15NM60ND 14 A 2 1 1 STF15NM60ND 14 A D2PAK I PAK STI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1) 3 2 1 STP15NM60ND 14 A STW15NM60ND 14 A TO-247 1. Limited only by maximum temperature

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STB15NM60ND

isc N-Channel MOSFET Transistor STB15NM60ND DESCRIPTION Drain Current I =14A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0

 4.1. Size:615K  st
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STB15NM60ND

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