STB160N75F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB160N75F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB160N75F3
STB160N75F3 Datasheet (PDF)
stb160n75f3 stp160n75f3 stw160n75f3.pdf
STB160N75F3STP160N75F3 - STW160N75F3N-channel 75V - 3.5m - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max.)3STB160N75F3 75V 3.7 m120 A(1) 32211STP160N75F3 75V 4 m TO-220120 A(1)TO-247STW160N75F3 75V 4 m120 A(1)1. Current limited by package31 Ultra low on-resistanceDPAK 100% Avalanche tes
stb160nf02l.pdf
STB160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF02L 20 V
stb160nf3llt4.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf3ll.pdf
STB160NF3LLN-channel 30V - 0.0028 - 160A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB160NF3LL 30V
stb160nf03l.pdf
STB160NF03LN-CHANNEL 30V - 0.0021 - 160A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB160NF03L 30 V
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