STB18NM80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB18NM80
Código: 18NM80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB18NM80 MOSFET
STB18NM80 Datasheet (PDF)
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf

STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V
stb18nm80 stf18nm80 stp18nm80 stw18nm80.pdf

STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID3321STB18NM80 800 V
stb18nm60nd stf18nm60nd stp18nm60nd stw18nm60nd.pdf

STB18NM60ND, STF18NM60ND, STP18NM60ND, STW18NM60NDN-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) IDOrder codes3TJmaxmax132STB18NM60NDD2PAK 1TO-220FPSTF18NM60ND650 V
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf

STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V
Otros transistores... STB16N65M5 , STB16NF06L , STB170NF04 , STB180N55F3 , STB185N55F3 , STB18N55M5 , STB18NF25 , STB18NM60N , IRFZ46N , STB190NF04 , STB19NF20 , STB200N4F3 , STB200N6F3 , STB200NF03 , STB20NM50FD , STB20NM60 , STB20NM60D .
History: STB200N4F3 | IPL65R650C6S | IPI65R280E6 | IRF5806 | HY1506I | AOD3T40P
History: STB200N4F3 | IPL65R650C6S | IPI65R280E6 | IRF5806 | HY1506I | AOD3T40P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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