STB21NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB21NK50Z
Código: 21NK50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
- Selección de transistores por parámetros
STB21NK50Z Datasheet (PDF)
stb21nk50z.pdf

STB21NK50ZN-channel 500 V, 0.23 , 17 A, D2PAKZener-protected superMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTB21NK50Z 500 V
stb21n90k5.pdf

STB21N90K5, STF21N90K5, STP21N90K5,STW21N90K5N-channel 900 V, 0.25 typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABOrder codes VDSS RDS(on)max ID PW331STB21N90K5 250 W 21D2PAKTO-220FPSTF21N90K5 40 W900 V
stp21nm60n stf21nm60n stb21nm60n stb21nm60n-1 stw21nm60n.pdf

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60NSTB21NM60N-STB21NM60N-1N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK -I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3332 121STB21NM60N 650 V
stb21nm60n-1 stb21nm60n stf21nm60n stp21nm60n stw21nm60n.pdf

STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60NSTB21NM60N-STB21NM60N-1N-channel 600 V - 0.17 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK -I2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max3332 121STB21NM60N 650 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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