STB25NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB25NM60ND
Código: 25NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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STB25NM60ND Datasheet (PDF)
stb25nm60nd sti25nm60nd stf25nm60nd stp25nm60nd stw25nm60nd.pdf
STx25NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33 13221STB25NM60ND 21 A 1D2PAKTO-220STI25NM60ND 21 ATO-220FPSTF25NM60ND 650 V 0.16 21 A(1)STP25NM60ND 21 ASTW25NM60ND 21 A1. Limited only by maximum temperature allowed323121 The worldwide
stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V
stb25nm60nx stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdf
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STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V
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