STB34NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB34NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB34NM60ND MOSFET
STB34NM60ND Datasheet (PDF)
stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdf

STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60NDN-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeatures TABOrder codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID31STB34NM60ND321D2PAKSTF34NM60NDTO-220FP650 V 0.110 29 A STP34NM60NDTABSTW34NM60ND The worlds bes
stb34nm60n.pdf

STB34NM60N, STF34NM60N,STP34NM60N, STW34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W1DPAKTO-220FPSTF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 WSTP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 WTABS
stb34nm60n stp34nm60n.pdf

STB34NM60N, STP34NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDSS RDS(on) ID PTOTTABSTB34NM60NTAB600 V 0.105 31.5 A 250 WSTP34NM60N2 100% avalanche tested3312 Low input capacitance and gate charge12D PAK Low gate input resistanceTO-220Ap
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332
Otros transistores... STB28NM50N , STB300NH02L , STB30N65M5 , STB30NF10 , STB30NF20 , STB30NM50N , STB30NM60ND , STB32N65M5 , 5N50 , STB35N65M5 , STB35NF10 , STB36NF06L , STB36NM60N , STB3N62K3 , STB3NK60Z , STB40NF10 , STB40NF10L .
History: IPI80N04S3-06 | RU304B | SI5513CDC | IRFB11N50APBF | IPP041N12N3G | SSN3541 | IRF7309Q
History: IPI80N04S3-06 | RU304B | SI5513CDC | IRFB11N50APBF | IPP041N12N3G | SSN3541 | IRF7309Q



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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