STB36NM60N Todos los transistores

 

STB36NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB36NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB36NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  st
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STB36NM60N

STB36NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.093 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeatures VDS @RDS(on) Order code ID PTOTTABTJmax max.STB36NM60N 650 V 0.105 29 A 210 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 100% avalanche tested2D PAK Low input capacitance and gate charge

 0.1. Size:1353K  st
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STB36NM60N

STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t

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STB36NM60N

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V

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STB36NM60N

STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V

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History: SRC70R048B | MTY30N50E | STB75NF20

 

 
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