STB3NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB3NK60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB3NK60Z datasheet

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STB3NK60Z

STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NK60Z 600 V

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STB3NK60Z

STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NK60Z 600 V

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STB3NK60Z

STB3NK60ZT4, STD3NK60Z-1, STD3NK60ZT4 STP3NK60Z, STP3NK60ZFP Datasheet N-channel 600 V, 3.2 typ., 2.4 A SuperMESH Power MOSFETs in D PAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packages Features TAB TAB 3 VDS RDS(on) max. ID Order codes Package 2 3 1 1 D2PAK IPAK TAB STB3NK60ZT4 D2PAK 2 3 TAB 1 STD3NK60Z-1 IPAK DPAK 600 V 3.6 2.4 A STD3NK60ZT4 DPAK 3 STP3NK60Z TO

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STB3NK60Z

STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP3NK60Z 600 V

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