STB3NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB3NK60Z
   Código: B3NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB3NK60Z

STB3NK60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:757K st
stp3nk60z-fp stb3nk60z std3nk60z std3nk60z-1.pdf

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

..2. Size:757K st
stp3nk60z stp3nk60zfp stb3nk60z std3nk60z std3nk60z-1.pdf

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

0.1. Size:932K st
stb3nk60zt4 std3nk60z-1 std3nk60zt4 stp3nk60z stp3nk60zfp.pdf

STB3NK60ZT4, STD3NK60Z-1, STD3NK60ZT4STP3NK60Z, STP3NK60ZFPDatasheetN-channel 600 V, 3.2 typ., 2.4 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesFeaturesTABTAB3VDS RDS(on) max. IDOrder codes Package2311D2PAKIPAKTABSTB3NK60ZT4D2PAK2 3TAB1STD3NK60Z-1 IPAKDPAK600 V 3.6 2.4 ASTD3NK60ZT4 DPAK3STP3NK60Z TO

0.2. Size:551K st
stb3nk60zt4 std3nk60zt4.pdf

STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NK60Z 600 V

9.1. Size:115K st
stb3na69-1.pdf

STB3NA60-1N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB3NA60-1 600 V

9.2. Size:127K st
stb3na80.pdf

STB3NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on ) DSTB3NA80 800 V

9.3. Size:90K st
stb3nb60.pdf

STB3NB60 N - CHANNEL 600V - 3.3 - 3.3A - D2PAK/I2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB3NB60 600 V

9.4. Size:548K st
stb3n62k3 std3n62k3 stf3n62k3 stp3n62k3 stu3n62k3.pdf

STB3N62K3, STD3N62K3, STF3N62K3STP3N62K3, STU3N62K3N-channel 620 V, 2.2 , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFETD2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesRDS(on) 33Type VDSS ID PD21max1DPAKSTB3N62K3 620 V

9.5. Size:418K st
stb3nc90z.pdf