STB4NK60Z-1 Todos los transistores

 

STB4NK60Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB4NK60Z-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STB4NK60Z-1 Datasheet (PDF)

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STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-1, STB4NK60ZT4 STD4NK60Z-1, STD4NK60ZT4DatasheetN-channel 600 V, 1.7 typ., 4 A SuperMESH Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packagesFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max. PTOT ID31322 STB4NK60Z-12 1D PAKI PAKSTB4NK60ZT4600 V 2 70 W 4 ATABTABSTD4NK60Z-132312STD4NK60ZT41DPAKIPAK Extremely high dv/dt

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STB4NK60Z-1

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESH Power MOSFETDPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V

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STB4NK60Z-1

STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60ZSTD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFPN-channel 600 V, 1.76 , 4 A SuperMESH Power MOSFETin DPAK, D2PAK, IPAK, I2PAK, TO-220, TO-220FPFeaturesRDS(on) Type VDSS PW ID 332max3 1121STB4NK60Z 600 V

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STB4NK60Z-1

STB4NC50N-CHANNEL 500V - 2.2 - 4A D2PAKPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB4NC50 500V

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History: LSH50R160HT | APTC60HM70SCTG | APTC60DDAM45CT1G | IRF7309TRPBF | 2SK3340-01 | BLF7G27LS-150P | WMB119N12LG4

 

 
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