STB55NF03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB55NF03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB55NF03L datasheet

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STB55NF03L

STP55NF03L STB55NF03L STB55NF03L-1 N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP55NF03L 30 V

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STB55NF03L

STP55NF03L STB55NF03L STB55NF03L-1 N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP55NF03L 30 V

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STB55NF03L

STB55NF06 STB55NF06-1 STP55NF06 STP55NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.015 - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/D PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID TO-220FP STP55NF06 60 V

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STB55NF03L

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

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