STB55NF03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB55NF03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB55NF03L

STB55NF03L Datasheet (PDF)

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STP55NF03LSTB55NF03L STB55NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF03L 30 V

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STP55NF03LSTB55NF03L STB55NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.01 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF03L 30 V

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STB55NF06 STB55NF06-1STP55NF06 STP55NF06FPN-CHANNEL 60V - 0.015 - 50A TO-220/TO-220FP/IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDTO-220FPSTP55NF06 60 V

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STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

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STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

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STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

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STP55NF06LSTB55NF06L - STB55NF06L-1N-channel 60V - 0.014 - 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

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STB55NF06Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sour

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stb55nf06.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB55NF06FEATURESWith To-263(D2PAK) packageExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current,high switch speedMotor control,audio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersAutomotiveABSOLUTE MAXIMU

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Liste

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