STB75NF20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB75NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB75NF20 MOSFET
STB75NF20 Datasheet (PDF)
stb75nf20 stp75nf20 stw75nf20.pdf
STB75NF20STP75NF20 - STW75NF20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF20 200V
stb75nf75 stp75nf75 stp75nf75fp.pdf
STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V
stb75nf75lt4.pdf
STB75NF75LN-channel 75V - 0.009 - 75A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75L 75V
stb75nf75.pdf
STB75NF75STP75NF75 STP75NF75FPN-CHANNEL 75V - 0.0095 - 80A TO-220/TO-220FP/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75 V
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History: TMD3N80G | SGSP369 | AP02N40H-HF | TP4812NR | MDF4N60DTH | HCD60R260 | 2SK1549-R
History: TMD3N80G | SGSP369 | AP02N40H-HF | TP4812NR | MDF4N60DTH | HCD60R260 | 2SK1549-R
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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