STB75NF75 Todos los transistores

 

STB75NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB75NF75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB75NF75 Datasheet (PDF)

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STB75NF75

STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V

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STB75NF75

STB75NF75STP75NF75 STP75NF75FPN-CHANNEL 75V - 0.0095 - 80A TO-220/TO-220FP/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75 V

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STB75NF75

STB75NF75LN-channel 75V - 0.009 - 75A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75L 75V

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STB75NF75

STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V

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History: QM0016D | RD07MVS1

 

 
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