STB76NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB76NF75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 117 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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STB76NF75 Datasheet (PDF)

1.1. stb76nf75 sti76nf75 stp76nf75.pdf Size:767K _st

STB76NF75, STI76NF75 STP76NF75 N-channel 75 V, 0.0095 ?, 80 A TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET� II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 1 STB76NF75 75 V < 0.011 ? 80 A(1) 3 2 1 STI76NF75 75 V < 0.011 ? 80 A(1) D?PAK TO-220 STP76NF75 75 V < 0.011 ? 80 A(1) 1. Current limited by package 3 2 1 � Exceptional dv/dt capability I?PAK � 100% avalanche tested Application

3.1. stb76nf80.pdf Size:669K _upd

STB76NF80 N-channel 80 V, 0.0095 Ω, 80 A D2PAK STripFET™ II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB76NF80 80 V < 0.011 Ω 80 A(1) 1. Current limited by package 3 1 ■ Exceptional dv/dt capability D²PAK ■ 100% avalanche tested Application ■ Switching applications – Automotive Description Figure 1. Internal schematic diagram This Power MOSFET is the lat

3.2. stb76nf80.pdf Size:669K _st

STB76NF80 N-channel 80 V, 0.0095 ?, 80 A D2PAK STripFET� II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB76NF80 80 V < 0.011 ? 80 A(1) 1. Current limited by package 3 1 � Exceptional dv/dt capability D?PAK � 100% avalanche tested Application � Switching applications � Automotive Description Figure 1. Internal schematic diagram This Power MOSFET is the latest development of

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