APT1004RAN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT1004RAN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO3

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APT1004RAN datasheet

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APT1004RAN

D TO-257 G APT1004RGN 1000V 3.3A 4.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1004RGN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 3.3 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 13.2 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Po

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APT1004RAN

 6.3. Size:50K  apt
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APT1004RAN

D TO-254 G APT1004RCN 1000V 3.6A 4.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1004RCN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 3.6 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 14.4 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Po

 6.4. Size:51K  apt
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APT1004RAN

D TO-247 G APT1004RBN 1000V 4.4A 4.00 S APT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 1004RBN 1004R2BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 4.4 4.0 Amps IDM Pulsed Drain Current 1

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