STB80NF55-08T4 Todos los transistores

 

STB80NF55-08T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80NF55-08T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB80NF55-08T4 datasheet

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STB80NF55-08T4

STB80NF55-08T4 STP80NF55-08, STW80NF55-08 N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 STB80NF55-08T4 55 V

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STB80NF55-08T4

STP80NF55-08 STB80NF55-08 STB80NF55-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-08/-1 55 V

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STB80NF55-08T4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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STB80NF55-08T4

STB80NF55-06T N-channel 55 V, 5 m , 80 A STripFET II Power MOSFET in a D PAK package Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STB80NF55-06T 55 V

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History: AP15P10GS-HF | IRFS240B | AP3P9R0J | SI1032X | AP15T25H-HF | AP04N60J | LSD65R570GT

 

 

 

 

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