STB85NF55 Todos los transistores

 

STB85NF55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB85NF55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB85NF55 Datasheet (PDF)

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STB85NF55

STB85NF55, STI85NF55STP85NF55N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55STP85NF55N-CHANNEL 55V - 0.0062 - 80A D2PAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55, STI85NF55STP85NF55N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55LSTP85NF55LN-channel 55 V, 0.0060 , 80 A, TO-220, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55L 55 V

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History: SM3319NSQG | FDMS86252 | SM3323NHQA | IRH7250 | SGSP579 | SM3317NSQG

 

 
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