STB85NF55 Todos los transistores

 

STB85NF55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB85NF55

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB85NF55 datasheet

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STB85NF55

STB85NF55, STI85NF55 STP85NF55 N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55 STP85NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0062 - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55, STI85NF55 STP85NF55 N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55 55 V

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STB85NF55

STB85NF55L STP85NF55L N-channel 55 V, 0.0060 , 80 A, TO-220, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB85NF55L 55 V

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History: MMF80R450PBTH | MMF65R600QTH

 

 

 

 

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