STB8NM60 Todos los transistores

 

STB8NM60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB8NM60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB8NM60 datasheet

 ..1. Size:559K  st
 stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf pdf_icon

STB8NM60

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

 ..2. Size:554K  st
 std5nm60 stb8nm60 stp8nm60.pdf pdf_icon

STB8NM60

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

 0.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STB8NM60

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

 0.2. Size:554K  st
 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STB8NM60

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

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