STB9NK60ZD Todos los transistores

 

STB9NK60ZD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB9NK60ZD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB9NK60ZD datasheet

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STB9NK60ZD

STB9NK60ZD STF9NK60ZD - STP9NK60ZD N-channel 600 V - 0.85 - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB9NK60ZD 600 V

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STB9NK60ZD

STB9NK60ZD STF9NK60ZD - STP9NK60ZD N-channel 600 V - 0.85 - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB9NK60ZD 600 V

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STB9NK60ZD

STP9NK60Z - STP9NK60ZFP STB9NK60Z - STB9NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw

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STB9NK60ZD

STB9NK60Z, STP9NK60Z, STP9NK60ZFP N-channel 600 V, 0.85 typ., 7 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 3 STB9NK60ZT4 3 1 2 125 W 600 1 STP9NK60Z 0.95 7 A 2 V D PAK TO-220 STP9NK60ZFP 30 W Extremely high dv/dt capability Improved ESD

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History: LDP9933ET1G | IRFH5304 | FDP027N08B

 

 

 

 

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