STD12N65M5 Todos los transistores

 

STD12N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD12N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD12N65M5 Datasheet (PDF)

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STD12N65M5

STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5STP12N65M5, STU12N65M5N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh V Power MOSFETDPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PTOT3TJmax max231 21STD12N65M5 8.5 A 70 WIPAK TO-220STF12N65M5 8.5 A(1) 25 W3STI12N65M5 710 V

 5.1. Size:935K  st
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STD12N65M5

STD12N65M2 N-channel 650 V, 0.42 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD12N65M2 650 V 0.5 8 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile DPAK (TO-252) 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applicatio

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STD12N65M5

STD12N60DM2AGDatasheet Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS @ TJmax RDS(on ) max. IDOrder codeTABSTD12N60DM2AG 650 V 430 m 10 A321DPAK AEC-Q101 qualified Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitanceD(2, TAB) Low on-resistance 100% avalanche test

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 std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdf pdf_icon

STD12N65M5

STD12N05LSTD12N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05L 50 V

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History: TPC6108 | STF8NM50N

 

 
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