STD16NF25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD16NF25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD16NF25

STD16NF25 Datasheet (PDF)

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std16nf25 stf16nf25 stp16nf25.pdf

STD16NF25STF16NF25 - STP16NF25N-channel 250V - 0.195 - 13A - DPAK/TO-220/TO-220FPLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwMax3STD16NF25 250V

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STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V

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STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V

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STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V

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STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V

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STD16NF06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

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