STD18NF03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD18NF03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD18NF03L

STD18NF03L Datasheet (PDF)

..1. Size:304K st
std18nf03l.pdf

STD18NF03LN-channel 30V - 0.038 - 17A - DPAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD18NF03L 30V

7.1. Size:1107K st
stb18nf25 std18nf25.pdf

STB18NF25STD18NF25N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB18NF25 250 V

8.1. Size:752K st
std18n55m5 stp18n55m5.pdf

STD18N55M5, STP18N55M5DatasheetN-channel 550 V, 0.150 typ., 16 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK and TO-220 packages FeaturesVDS @TABRDS(on)max.Order code PackageTABTjmax.32STD18N55M5 DPAK1600 V 0.192 32 STP18N55M5 TO-220DPAK TO-2201 Extremely low RDS(on) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceD(2, TA

8.2. Size:1015K st
stb18n65m5 std18n65m5.pdf

STB18N65M5, STD18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTABTJmax maxTABSTB18N65M5710 V

8.3. Size:1247K st
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdf

STB18N55M5, STD18N55M5STF18N55M5, STP18N55M5N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID3@TJmax max131STB18N55M5DPAKDPAKSTD18N55M5550 V

8.4. Size:208K inchange semiconductor
std18n65m5.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STD18N65M5FEATURESHigher V ratingDSSExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

8.5. Size:262K inchange semiconductor
std18n55m5.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor STD18N55M5FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

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History: IRF9Z24NL

Liste

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